硅片在傳輸過程中、升降舟（進出反應室）前后過程中，會受到設備內(nèi)部氣氛中氧分子的影響，導致非必要氧化層的產(chǎn)生，造成硅片的品質(zhì)降低甚至報廢現(xiàn)象。因此，通常需要采取氧氣（O2）分析儀和氣體質(zhì)量流量控制器來閉環(huán)控制和降低設備內(nèi)部氣氛中的含氧量。同時，為避免微氧控制過程中氣氛壓力超出安全范圍，一般采用了基于PLC的閉環(huán)控制模型來控制氣氛中的壓力，確保微氧控制良好情況下壓力系統(tǒng)的可靠運行。

       微氧控制是半導體立式爐、氧化爐、擴散爐、退火/推進設備的關(guān)鍵性能指標。上海高傳公司的SenzTx/Microx氧氣分析儀采用螺紋或法蘭安裝，量程從1ppm-25%，響應快，精度高，長期穩(wěn)定性好，使用壽命長，特別適合半導體氧化/退火爐的工況。目前已經(jīng)在國內(nèi)主要半導體設備廠商批量使用，是一款可靠、有效的產(chǎn)品。